سامسونگ اعلام کرد که در حال ساخت نمونه‌هایی از اولین ماژول حافظه DDR4 صنعتی با ۱۶ گیگابایت حافظه، است. RDIMMهای جدید، که برای استفاده در سرورهای پیشرفته و رده‌بالا طراحی شده‌اند، بر پایه معماری ۳۰ نانومتری طراحی شده‌اند که عملکردی عالی و تراکمی بالا را از خود نشان خواهند داد.
آن طور که سامسونگ می‌گوید، رم‌های DDR4 تا سال آینده از سرعتی دو برابر سرعت ماژول‌های DDR3 (با سرعت انتقال ۱۶۰۰ مگابیت بر ثانیه) برخوردار خواهند شد. ضمناً گفته می‌شود که ماژول‌های DDR4 سامسونگ دارای بازدهی بالاتری هستند و با ولتاژ ۱.۲ ولت به کار می‌پردازند، در حالی که رم‌هایDDR3 به ولتاژی معادل ۱.۳۵ ولت نیاز دارند.
سامسونگ در نظر دارد در سال ۲۰۱۳ کار تولید انبوه ماژول‌های DDR4 را آغاز و رم‌های DDR4 بیست نانومتری را نیز به بازار عرضه کند.
No comments:
Post a Comment